特許
J-GLOBAL ID：200903078425025478

半導体用基板とその製造方法

発明者：
秋本 克洋

秋本 克洋 について

, 
木下 博之

木下 博之 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050727
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255694
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】サファイア基板上に作成される窒化ガリウム(以下GaN)系半導体層の結晶性の改善を図ることを目的とする。【解決手段】窒素-周期律表第3族元素化合物半導体の結晶成長に用いる半導体用基板であって、サファイアからなり、主面の結晶方位が(0001)面または(11-20)面から0〜0.03°傾いており、主面に400nm以上の幅のテラス1と高さ2Å以下のステップ2を有し、主面の表面粗さがRms値で0.1nm以下、Ra値で0.06nm以下とする。
請求項（抜粋）：
窒素-周期律表第3族元素化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、サファイアからなり、主面の結晶方位が(0001)面または(11-20)面から0〜0.03°傾いており、主面に400nm以上の幅のテラスと高さ2Å以下のステップを有し、主面の表面粗さがRms値で0.1nm以下、Ra値で0.06nm以下であることを特徴とする半導体用基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C23C 14/06 A ,  H01L 21/203 M
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077SC01 ,  4K029AA00 ,  4K029AA07 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029FA06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103PP03 ,  5F103PP07 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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