パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167810
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010752
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】高密度の半導体素子の微細加工に適し、解像力に優れ、かつ、微細加工プロセスの全ドライ化を実現する酸素プラズマによって現像可能なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】脂肪族化合物を含有する感光性組成物からなるレジスト膜を基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を施す工程と、前記パターン露光後のレジスト膜にシリル化処理を施す工程と、前記シリル化処理が施されたレジスト膜にドライ現像を行なう工程を具備する。

請求項（抜粋）：

脂肪族化合物を含有する感光性組成物からなるレジスト膜を基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を施す工程と、前記パターン露光後のレジスト膜にシリル化処理を施す工程と、前記シリル化処理が施されたレジスト膜にドライ現像を行なう工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/36 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/36 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (6件)

レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222520 出願人：日本ペイント株式会社
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-159902 出願人：日本ペイント株式会社
特開平2-262150

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