特許

J-GLOBAL ID：200903078436666637

ラミネート方法並びにラミネート装置

発明者： 櫛原 俊明
出願人/特許権者： 日清紡績株式会社
代理人 (1件)： 樋口 盛之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230438
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 構造が簡単で、ダイアフラムの寿命が長く、また、その交換作業も容易であり、真空脱泡機能に優れた、太陽電池モジュールのラミネートに好適なラミネート方法を提供すること。【解決手段】 上面側にダイアフラム4を取付けその上面に被ラミネート体をセットする下チャンバ7と、下面側に加熱板を6取付けた上チャンバ8とを具備したラミネート装置により、前記ダイアフラム4上に被ラミネート体を載置して上,下チャンバ7,8を合着し、合着した上下チャンバ7,8を真空引きすることにより被ラミネート体を前記加熱体に接することなく脱泡した後、下チャンバ7へ大気を導入することにより、ダイヤフラム4を上方へ膨張させ被ラミネート体の上面を前記加熱板6に当接させて加熱すること。

請求項（抜粋）：

上面側にダイアフラムを取付けその上面に被ラミネート体をセットする下チャンバと、下面側に加熱板を取付けた上チャンバとを具備したラミネート装置により、前記ダイアフラム上に被ラミネート体を載置して上,下チャンバを合着し、合着した上下チャンバを真空引きすることにより被ラミネート体を前記加熱体に接することなく脱泡した後、下チャンバへ大気を導入することにより、ダイヤフラムを上方へ膨張させ被ラミネート体の上面を前記加熱板に当接させて加熱することを特徴とするラミネート方法。

IPC (4件)：

H01L 31/042 ,  B29C 65/02 ,  B29L 9:00 ,  B29L 31:34

FI (4件)：

B29C 65/02 ,  B29L 9:00 ,  B29L 31:34 ,  H01L 31/04 R

Fターム (28件)：

4F211AA16 ,  4F211AC03 ,  4F211AD04 ,  4F211AD05 ,  4F211AD08 ,  4F211AG02 ,  4F211AG03 ,  4F211AH33 ,  4F211AH37 ,  4F211AK09 ,  4F211AM28 ,  4F211TA01 ,  4F211TC02 ,  4F211TD11 ,  4F211TH01 ,  4F211TH02 ,  4F211TH06 ,  4F211TJ13 ,  4F211TJ14 ,  4F211TJ22 ,  4F211TJ23 ,  4F211TJ29 ,  4F211TN07 ,  4F211TQ08 ,  5F051BA18 ,  5F051EA18 ,  5F051JA02 ,  5F051JA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ラミネート装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191483   出願人：株式会社富士電機総合研究所
• 真空積層装置および真空積層方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132056   出願人：株式会社名機製作所