特許

J-GLOBAL ID：200903078489050263

酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法

発明者： 吉田 誠人 ,  芦沢 寅之助 ,  寺崎 裕樹 ,  倉田 靖 ,  松沢 純 ,  丹野 清仁 ,  大槻 裕人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-138275
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、粉末X線リートベルト法(RIETAN-94)による解析で等方的微小歪を表わす構造パラメーター:Yの値が0.01以上0.70以下である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリー研磨剤で研磨する。

請求項（抜粋）：

粉末X線リートベルト法(RIETAN-94)による解析で等方的微小歪を表わす構造パラメーター:Yの値が0.01以上0.70以下である酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265979   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨材及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-272761   出願人：三井金属鉱業株式会社
• 半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-116556   出願人：セイミケミカル株式会社