特許
J-GLOBAL ID：200903078503843727

半導体力学量センサの製造方法および半導体力学量センサ製造用の半導体ウェハ

発明者：
加納 一彦

加納 一彦 について

, 
深田 毅

深田 毅 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323746
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150917
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 犠牲層エッチングを行って梁構造体を有する半導体力学量センサを製造する方法において、梁構造体の下に犠牲層の残りが生じないようにする。【解決手段】 シリコン基板40に形成された梁構造体におけるシリコン酸化膜(犠牲層)41との境界部分に、溝55と直交する方向に切り欠き(ノッチ)56を形成し、この後、シリコン酸化膜41のウェットエッチングを行って、梁構造体を可動構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に犠牲層を介して半導体層が形成されたものを用意し、前記半導体層に梁構造の可動部と固定部を画定するための溝を形成し、前記可動部の下の前記犠牲層をウェットエッチングにより除去して、前記可動部を力学量の作用によって可動できるようにした半導体力学量センサの製造方法において、前記可動部における前記犠牲層との境界部分に、前記溝と直交する方向に切り欠きを形成し、この後、前記犠牲層のウェットエッチングを行うことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101
FI (2件)：
H01L 29/84 Z ,  G01L 9/04 101
Fターム (20件)：
2F055AA40 ,  2F055BB19 ,  2F055CC12 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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