可変抵抗を有するメモリデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536974
公開番号（公開出願番号）：特表2007-533118
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

薄膜記憶デバイスは、第1電極(3)と、第1の可変抵抗薄膜(2)と、第2の電極(1)とを備える。第1の電極(3)は、基板(4)の表面上に形成される。第1の可変抵抗薄膜(2)は、第1の電極(3)の表面上に形成される。第2の電極(1)は、第1の可変抵抗薄膜(2)の表面上に形成される。第1の可変抵抗薄膜(2)は、格子歪みおよび電荷配列のうち少なくとも1つによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面上に形成された第1の電極と、前記第1の電極の表面上に形成された可変抵抗薄膜と、前記可変抵抗薄膜の表面上に形成された第2の電極とを備え、前記可変抵抗薄膜は、格子歪みによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む薄膜記憶デバイス。

IPC (4件)：

H01L 27/10 , G11C 13/00 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (5件)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01L27/10 461 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069861 出願人：松下電器産業株式会社
特表平6-509909
特許第6204139号

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