特許

J-GLOBAL ID：200903070219876150

磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置

発明者： 足立 秀明 ,  小田川 明弘 ,  平本 雅祥 ,  松川 望 ,  榊間 博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339110
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】電圧で磁化を制御できる磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置を提供する。【解決手段】反強磁性層1と、その両側に隣接して対向した磁性層2および電極3とを具備し、磁性層2と電極3間に加える電圧により磁性層2の磁化方位を制御する。特に反強磁性層1に隣接した磁性層2が、さらに非磁性層4を介した別の磁性層5との積層構造をとる場合、制御した磁性層の磁化の方位を電気抵抗の変化として検出できる。これらの磁気制御素子は原理的に電界または磁界に反応するので、電気や磁気信号の検知を行う磁気部品を構成することができる。その際の磁性体の磁化方位は基本的に次の信号が入るまで保持されるので、メモリー装置を構成することもできる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層と、その両側に隣接して対向した磁性層および電極とを具備した磁気制御素子であって、前記磁性層と前記電極間に加える電圧により前記磁性層の磁化方位を制御することを特徴とする磁気制御素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/10 447