特許
J-GLOBAL ID：200903078571072500

窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ並びに半導体デバイス

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について

, 
坂口 春典

坂口 春典 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261024
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥が少なく、反りやクラックの少ない窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ並びに半導体デバイスを提供する。【解決手段】 表面に第一の窒化物半導体層2を形成したサファイア基板1の表面または裏面から水素、窒素等のイオンを打ち込み、サファイア基板1中に機械的強度の弱い中間層5を形成したものを基板とし、その基板の第一の窒化物半導体層2の上に第二の窒化物半導体層4のエピタキシャル成長を行うものである。成長する層構造は1層以上のエピタキシャル構造であり、pn接合やヘテロ接合等の半導体構造が形成されたり、発光ダイオードやレーザダイオード、受光素子、電界効果トランジスタ、HEMT、HBT等の種々の半導体素子に適した層構造、あるいはその一部を構成するエピタキシャル層構造となる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に第一の窒化物半導体層を形成した基板の表面または裏面からイオンを打ち込み、上記サファイア基板中に周囲より機械的強度の小さい中間層を形成することを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (51件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF11 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045GH08 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361002   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク
  • 半導体の結晶成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036568   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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