特許
J-GLOBAL ID：200903078589138435

プラズマ処理装置

発明者：
岡 信介

岡 信介 について

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中瀬 りさ

中瀬 りさ について

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赤堀 孝

赤堀 孝 について

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川上 聡

川上 聡 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-279368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091247
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 処理ガスをプラズマ化し、例えば半導体ウエハの表面に成膜を行うにあたってプラズマの発生を止めたときに、今までプラズマに閉じ込められていたパーティクルがウエハ上に吸着してパーティクル汚染の一因となる。【解決手段】 半導体ウエハの載置台4の周囲に例えば窒化アルミニウムよりなるリング体6を載置台4の載置面とほぼ同じ高さとなるように設け、このリング体6の表面部に電極52を埋設する。また載置台4の上方領域を囲むように設けられたリング状の成膜ガス供給部6の内壁面に真空容器2内に露出するように電極63を設ける。プラズマの発生を停止する直前に前記電極52、63に正電圧を印加し、プラズマが消失したときにその中のパーティクルを電極52、63に引き込む。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内に設けられた基板の載置台と、を備え、前記真空容器内に処理ガスを供給してこの処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の基板に対して処理を行うプラズマ処理装置において、前記真空容器内に設けられたパ-ティクル引き込み用の電極と、この電極に電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、前記プラズマの発生を止めたときに、プラズマ中に閉じ込められていたパ-ティクルを、電圧が印加された前記電極に引き込むことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 Z ,  H01L 21/302 B
Fターム (39件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA47 ,  4K030KA49 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004FA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AE01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH17 ,  5F045EH20 ,  5F045HA13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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