特許
J-GLOBAL ID：200903078606833703
電界吸収型光変調器、半導体光集積素子及びこれらの制御方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-165848
公開番号（公開出願番号）：特開2009-003310
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】高温環境下で(広い温度範囲で)動作し、且つ、長距離伝送が可能な電界吸収型光変調器と、これを備えた半導体光集積素子及びこれらの制御方法を提供する。【解決手段】InとGaとAsを有する井戸層と、AlとInとGaとAsを有する障壁層とからなる量子井戸構造3を有し、この量子井戸構造3の伝導帯オフセット値を、電界吸収型光変調器を高温で動作させるために120meV以上とし、電界吸収型光変調器により変調された光信号を長距離伝送させるために250meV以下とする。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
InとGaとAsを有する井戸層と、AlとInとGaとAsを有する障壁層とからなる量子井戸構造を有し、
前記量子井戸構造の伝導帯オフセット値が、120meV以上250meV以下であることを特徴とする電界吸収型光変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
2H079AA02
, 2H079CA04
, 2H079DA03
, 2H079DA22
, 5F173AF03
, 5F173AH03
, 5F173AR71
