特許
J-GLOBAL ID：200903054439408896
半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-289500
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064080
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 FeドープInP層を用いた電流閉じ込め構造は、従来のp/n/p電流閉じ込め構造に対して、寄生容量を低減する効果には優れているものの、電流のブロッキング特性に劣るという問題が生じることがあった。 【解決手段】 DFBレーザ1の積層構造のうち、上部クラッド層16、回折格子14、上部SCH層13、MQW活性層12、下部SCH層10、及び下部クラッド層8の上部は、メサストライプを形成している。メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のFeドープInP層28、及びn型InP層29で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。また、より寄生容量を減らすことを目的として、高抵抗のFeドープInP層28、及びn型InP層29により形成された電流ブロック層にはトレンチが形成されている。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有するIII-V族化合物半導体基板上に、活性層を含むメサストライプを有し、該メサストライプの側面にFeまたはRuがドープされた高抵抗半導体により形成される第1層と第1の導電型を有する半導体により形成される第2層を含む埋め込み層を有し、前記メサストライプと前記埋め込み層上には、第2の導電型を有する半導体層が設けられている半導体素子であって、第2埋め込み層は少なくともその一部が前記メサストライプから0.3μm以内の距離にあることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/227
, H01S5/026 616
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA52
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073CB19
, 5F073EA29
出願人引用 (1件)
審査官引用 (13件)
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