光半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-122016
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303147
出願日： 2005年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】V族構成原子が異なるIII-V族化合物半導体層の積層構造を含む半導体素子は、所謂タイプII型のバンドラインナップを形成するため、そのヘテロ構造におけるバンド不連続がキャリアの良好な伝導を阻害し、素子特性の劣化を招いていた。【解決手段】本発明によれば、タイプIIのバンドラインナップを形成するヘテロ界面でのキャリアの伝導特性を改善するために、一方のエネルギー帯(例えば価電子帯)ではエネルギー不連続を傾斜的、或いは階段的に接続してキャリア(例えば正孔)を良好に伝導させつつ、他方のエネルギー帯(例えば伝導帯)では、エネルギー不連続を保持して、もう一方のキャリア(例えば電子)に対する障壁効果を維持し得るエネルギーバンド構造を実現できる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体基板と前記半導体基板上に形成された半導体多層構造とを備えた半導体素子であって、該光半導体素子を構成する多層構造内に、第1の半導体層、第2の半導体層、及びその両層の中間に位置する第3の半導体層から成る半導体層を1組、又は2組以上有し、そのうちの少なくとも1組の前記半導体層において、電子に対するエネルギー障壁として見た時に、第1の半導体層の伝導帯のエネルギー位置(EC1)は、第2の半導体層の伝導帯のエネルギー位置(EC2)より高く、且つ第3の半導体層の伝導帯における量子準位が形成されるエネルギー位置(QEC3)は、EC1とEC2の間にあって、EC2を基準として、EC1とEC2のエネルギー差の7割以上10割未満の値をとり、正孔に対するエネルギー障壁として見た時に、第1の半導体層の価電子帯のエネルギー位置(EV1)は、第2の半導体層の価電子帯のエネルギー位置(EV2)より低く、且つ第3の半導体層の価電子帯における量子準位が形成されるエネルギー位置(QEV3)は、EV1とEV2の間にあって、EV1を基準として、EV1とQEV3のエネルギー差が、第1の半導体層から、第2の半導体層の方向に向かって段階的に大きく成るように構成されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 , G02F 1/017

FI (2件)：

H01S5/343 , G02F1/017 503

Fターム (14件)：

2H079AA02 , 2H079AA05 , 2H079AA12 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 5F173AF05 , 5F173AG12 , 5F173AG18 , 5F173AH04 , 5F173AP05 , 5F173AP10 , 5F173AR25

引用特許：

出願人引用 (9件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-091936 出願人：三洋電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-205075 出願人：古河電気工業株式会社
特開平3-041791

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審査官引用 (8件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-205075 出願人：古河電気工業株式会社
特開平3-041791
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020912 出願人：日本電気株式会社

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