特許
J-GLOBAL ID：200903078633204947
化合物半導体基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349991
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255755
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長した化合物半導体層を少なくとも1層有する化合物半導体基板において、化合物半導体の成長途中で研摩工程を行う必要がなく、良好な素子特性の半導体装置を形成するのに十分なように表面平坦度を向上させる。【解決手段】 化合物半導体層が形成されているシリコン単結晶基板の表面が(100)面に対して1°以下のオフ角度で傾斜しており且つ化合物半導体層の自由表面の粗さが、原子間力顕微鏡による測定視野面積10μm×10μmの二乗平均粗さ(Rms)で3nm以下、または最大高低差(Ry)で10.5nm以下である。その製造方法は、上記単結晶基板の表面上に、第1の化合物半導体層から成る厚さ5nm〜15nmのバッファ層を形成する工程、およびバッファ層上に、エピタキシャル成長により第2の化合物半導体層を形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長した化合物半導体層を少なくとも1層有する化合物半導体基板において、該化合物半導体層が形成されている該シリコン単結晶基板の表面が、シリコン結晶の(100)面に対して1°以下のオフ角度で傾斜しており、且つ該化合物半導体層の自由表面の粗さが、原子間力顕微鏡による測定視野面積10μm×10μmの二乗平均粗さ(Rms)で3nm以下である、ことを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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