特許

J-GLOBAL ID：200903078634458403

窒化アルミニウム基板、薄膜付き窒化アルミニウム基板およびこれからなるレーザー発光素子用サブマウント材

発明者： 岡 本 光 弘 ,  矢 野 圭 一 ,  白 井 隆 雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394867
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192442
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 結晶粒子脱落が防止されたバイアホールを有する窒化アルミニウム基板および接続信頼性が高い薄膜付きの前記気窒化アルミニウム基板の提供。【解決手段】 バイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離50μmの直線上に15〜30個存在することを特徴とする窒化アルミニウム基板、前記の窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されてなることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板、および。前記の薄膜付き窒化アルミニウム基板からなることを特徴とするレーザー発光素子用サブマウント材。

請求項（抜粋）：

バイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離50μmの直線上に15〜30個存在することを特徴とする、窒化アルミニウム基板。

IPC (4件)：

C04B 35/581 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/12 ,  H01S 5/022

FI (4件)：

C04B 41/88 C ,  H01S 5/022 ,  C04B 35/58 104 Y ,  H01L 23/12 J

Fターム (19件)：

4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BA61 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BB61 ,  4G001BC13 ,  4G001BC22 ,  4G001BC33 ,  4G001BC72 ,  4G001BC73 ,  4G001BD03 ,  4G001BD38 ,  4G001BE31 ,  4G001BE32 ,  4G001BE35 ,  5F073BA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• AlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-166770   出願人：株式会社東芝
• メタライズ基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-290748   出願人：株式会社トクヤマ