特許
J-GLOBAL ID：200903078651545280
電解質塩とその製造方法およびそれを用いた電気化学キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
津国 肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121536
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315631
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 耐電圧が高い電解液が得られる電解質塩およびその製造方法;ならびに優れた耐電圧、静電容量およびエネルギー密度を有し、かつ静電容量の劣化率が小さい電気化学キャパシタを提供する。【解決手段】 一般式Q+・MFn-で示される第四級アンモニウム塩である電解質塩であって、該塩のMFn-部分の加水分解に起因する不純物が200ppm以下であることを特徴とする電気化学キャパシタ用電解質塩;一般式Q+・RCO3-で示される炭酸モノエステルの第四級アンモニウム塩を、一般式H+MFn-・Lmで示される無機超強酸錯体と反応させることを特徴とする、一般式Q+・MFn-で表される第四級アンモニウム塩の製造方法;ならびにこのような電解質塩を非水溶媒に溶解してなる非水系電解液を、正極および負極とともに使用することを特徴とする電気化学キャパシタ。
請求項（抜粋）：
一般式Q+・MFn-(ただし、Q+は、第四級アンモニウムイオンを表し;MFn-は、BF4-、PF6-、AsF6-またはSbF6-を表す)で示される第四級アンモニウム塩である電解質塩であって、該塩のMFn-部分の加水分解に起因する不純物が200ppm以下であることを特徴とする電気化学キャパシタ用電解質塩。
引用特許：
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