縦形ナノヒューズ及びナノ抵抗回路素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273090
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162954
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】高密度化を達成可能とするヒューズ及び抵抗を含む縦形ナノ回路を提供すること。【解決手段】縦型ナノ回路(100,300)は、Damascene、ウェットエッチング、反応性エッチング等の標準的な既知のプロセスを用いて作製される。このため、最新技術による機器を入手するために必要となるもの以外の資本投資は僅かなものとなる。縦型ナノ回路(100,300)はまた安価に製造できるものとなる。

請求項（抜粋）：

縦形ナノ回路(100,300)であって、第1の方向に延びる上部導体(160,360)と、第2の方向に延びる底部導体(110,310)であって、前記上部導体(160,360)と該底部導体(110,310)との間に重複領域(115,315)を画定し、前記上部導体(160,360)との電気的接続を有している、底部導体(110,310)と、前記上部導体(160,360)及び前記底部導体(110,310)との電気的接続を有する、前記重複領域(115,315)内に形成された縦形導電性スペーサ(130,330)とを含む、縦形ナノ回路(100,300)。

Fターム (2件)：

5G502BA10 , 5G502EE05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318732 出願人：大見忠弘
特開平4-361566
電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016018 出願人：キヤノン株式会社

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