特許
J-GLOBAL ID：200903078679024242

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
岩淵 信

岩淵 信 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012106
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013089
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】簡便、容易に、照射面の反対側の面から電極を取り出す構成の裏面照射型のCMOS固体撮像素子を製造することができる固体撮像素子の製造方法と、この製造方法で製造した固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体層12の一方の主面に光電変換素子14と電界効果トランジスタ15を含む複数の画素が形成されており、半導体層12の一方の主面に複数の画素に接続して埋め込み配線21が形成され、半導体層12の一方の主面に支持基板30が貼り合わされており、埋め込み配線21に接続するように支持基板30を貫通して貫通配線31が形成されている。ここで、半導体層12の他方の主面側が光電変換素子の受光面となる裏面照射型となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主面に光電変換素子と電界効果トランジスタを含む複数の画素が形成された半導体層と、 前記半導体層の前記一方の主面に形成され、前記複数の画素に接続して形成された埋め込み配線と、 前記半導体層の前記一方の主面に貼り合わされた支持基板と、 前記埋め込み配線に接続するように前記支持基板を貫通して形成された貫通配線と を有し、 前記半導体層の他方の主面側が前記光電変換素子の受光面となる裏面照射型である 固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 F ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (24件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024BX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX04 ,  5C024DX07 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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