特許

J-GLOBAL ID：200903078688317449

電子部材

発明者： 中村 修
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-270682
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092903
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 常温で強磁性と常磁性を切り替えることができ、磁気的性質と電気的性質又は光学的性質を結び付け、これらを任意に制御することができる電子部材を提供することである。【解決手段】 強相関電子材料からなる半導体層11上に、ゲート電極15を配置する。ゲート電極15に印加する電圧を制御することにより、半導体層11中のキャリア濃度を変調すると、その磁化が変化する。この磁化の変化により、半導体層11の伝導率、透過率、カー効果などが変化する。

請求項（抜粋）：

強相関電子材料層と、前記強相関電子材料層に電界を印加する電界印加手段と、を具備することを特徴とする電子部材。

IPC (3件)：

H01L 43/00 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/00 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• FET素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298965   出願人：三菱化成株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075234   出願人：大門正機, 鶴見敬章
• 超電導光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125950   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• FET素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298965   出願人：三菱化成株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075234   出願人：大門正機, 鶴見敬章
• 超電導光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125950   出願人：株式会社日立製作所