特許

J-GLOBAL ID：200903078690038719

基板の処理方法

発明者： 池田 典弘 ,  井上 恭典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212570
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078352
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 Si基板表面に形成されるダメージ層のダメージの度合いが軽減されるような半導体基板の処理方法を提供するものである。【構成】 シリコン基板12上に形成されたSiO214をRIE法等によりエッチングすると、基板12の表面にSiC化ダメージ層16と水素侵入ダメージ層17が形成され、この部分の特性(例えばコンタクト抵抗)が悪化するが、エッチング後に、RTA法による急速加熱することにより、水素侵入ダメージ層17の部分の水素が外方拡散するとともにこの部分の結晶性の乱れが改善されて、少なくともこの水素侵入ダメージ層17のダメージ度合いが回復する。そして、このRTAの前に、O2RIE処理を行うことで、水素侵入ダメージ層17の回復に加えて、SiC化ダメージ層16をも回復させることができる。

請求項（抜粋）：

基板上の膜をドライエッチングした後に、熱処理することを特徴とした基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/265 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264020   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317837   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭56-051580
  
• 特開昭64-081229