特許
J-GLOBAL ID：200903078707765326

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 友幸

伊藤 友幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084653
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283923
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜を緻密化させて、自然酸化膜の発生等の欠陥因子を有効に排除することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板(ガラス基板1)上に半導体薄膜(a-Si膜)を形成する工程と、該半導体薄膜にレーザを照射してレーザアニールを施す工程とを有し、当該レーザアニールを施す工程には、O3ガス中においてレーザ照射し、前記半導体薄膜の表面を酸化させる工程を含むようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体薄膜が形成されてなる薄膜半導体装置の製造方法であって、基板上に半導体薄膜を形成する工程と、該半導体薄膜にレーザを照射してレーザアニールを施す工程と、を有し、当該レーザアニールを施す工程には、O3ガス中においてレーザ照射し、前記半導体薄膜の表面を酸化させる工程を含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
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