特許
J-GLOBAL ID：200903035400790624
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162138
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【目的】 非単結晶半導体膜にレーザー光を照射してレーザーアニールを行うに際し、非単結晶半導体膜上面の上面の有機物を除去しつつ、良好な結晶化を行う。【構成】 オゾン雰囲気中にて、レーザーアニールを行う。特に、オゾン雰囲気中でのレーザーアニールを、非単結晶珪素膜に対して行うことで、該膜の結晶性、均質性が向上する。また、オゾンによって、珪素膜の表面に存在する有機物を除去することができる。
請求項（抜粋）：
非単結晶半導体膜の表面をオゾンによって処理させながらレーザー光の照射によりアニールを行うことを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/304 341
H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/304 341 D
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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