特許

J-GLOBAL ID：200903078716235887

ガラスセラミックス多層配線基板およびその製造方法

発明者： 守屋 要一 ,  山出 善章 ,  山本 利重 ,  阪本 頼史
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172258
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 熱膨張係数がSiの熱膨張係数に近く、抗折強度が大きいガラスセラミックス多層配線基板で、基板材料が比誘電率6.0程度よりも小さい低誘電率層単体からなるものの製造が難しいため、内層配線の信号遅延を効果的に低減させることができなかった。また、基板中に高強度層と低誘電率層との2つの層を形成することにより、信号遅延の低減と一定強度の確保は可能であるが、2種類のグリーンシートを製造する必要があり、製造コストが高くついた。【解決手段】 内層配線層23の周囲のみに、他の部分と比べて比誘電率(εr )の小さい信号遅延低減層20を形成し、他の部分、すなわち一層の内層配線層23を含む信号遅延低減層20と、隣接する他の一層の内層配線層23を含む信号遅延低減層20との間及びその周囲に高強度の基板層21を形成する。

請求項（抜粋）：

内層配線の周囲に位置する信号遅延低減層と、その他の部分を構成する基板層とが異なる誘電率を有するガラスセラミックス多層配線基板であって、一層の内層配線を含む前記信号遅延低減層と前記基板層とが交互に積層されており、かつ前記信号遅延低減層のガラスセラミックスが前記基板層のガラスセラミックスより低誘電率であることを特徴とするガラスセラミックス多層配線基板。

FI (3件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低誘電率多層基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-004556   出願人：株式会社富士通ゼネラル
• 特開平4-010591
  
• 高周波回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-256624   出願人：住友金属工業株式会社