キャパシタ素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241274
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203915
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】キャパシタ素子の下部電極表面の凹凸を緩和し、誘電体膜の膜厚均一化を図って、容量低下、リーク電流の増加を防ぐ。【解決手段】下部電極12と誘電体膜15と上部電極16とから成るキャパシタ素子であって、下部電極12の誘電体膜15と接する表面が、此の表面を構成している材料自体を加工し、例えば表面から削られた材料自体14で表面の結晶粒界凹部を埋込んで平坦化されて成る。

請求項（抜粋）：

下部電極と誘電体膜と上部電極とから成るキャパシタ素子であって、前記下部電極は単層構造、或いは積層構造を有し、少なくとも一層の表面が、該表面から削られた材料自体で表面の凹部を埋込んで平坦化されて成ることを特徴とするキャパシタ素子。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108

Fターム (12件)：

5F083GA06 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR03 , 5F083PR39

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-046756
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-274709 出願人：日本電気株式会社
特開平2-001154

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