半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261329
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103709
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】比抵抗の低い良質の金属酸化物窓層(透明導電膜)を形成し、且つ動作電圧を低くして、高輝度で低価格の半導体発光素子を得ること。【解決手段】第一導電型の基板1の上に、活性層4を導電型が異なる第一クラッド層3と第二クラッド層5で挟んだ発光部を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極9を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極10を形成した半導体発光素子において、上記第二クラッド層5と上記金属酸化物窓層の間に、第二導電型のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)から成る第一半導体コンタクト層6と、その上のP系、In系又はAl系の化合物から成る第二半導体コンタクト層7との積層構造を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の基板の上に、活性層を導電型が異なる第一クラッド層と第二クラッド層で挟んだ発光部を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極を形成した半導体発光素子において、上記第二クラッド層と上記金属酸化物窓層の間に、第二導電型のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)から成る第一半導体コンタクト層と、その上のP系、In系又はAl系の化合物から成る第二半導体コンタクト層との積層構造を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 B

Fターム (6件)：

5F041AA04 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA88 , 5F041CA92

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-024946 出願人：信越半導体株式会社, 株式会社ナノテコ
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-128077 出願人：晶元光電股ふん有限公司
特開平1-225178

全件表示

前のページに戻る