特許

J-GLOBAL ID：200903078752763334

半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法

発明者： 佐藤 充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-066114
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243045
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】不純物イオン注入の際にマスクとして用いられ、変質層を有するレジスト膜を効率的に除去する。【解決手段】ガラス基板100上に形成されたレジスト膜107をマスクに不純物イオンを注入し、変質層107aが形成されたレジスト膜107を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜107を除去する。この際、さらにハロゲン化合物ガスを添加した第1アッシングと、その後の、水素及び酸素の混合ガス比を水(H2O)の化学量論組成比である2mol:1molより酸素の組成比が大きい、酸素リッチな状況で行う第2アッシングとにより行う。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジスト膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記レジスト膜に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572A

Fターム (18件)：

5F004BA19 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA10 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA02 ,  5F046MA13 ,  5F046MA17 ,  5F046MA18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• イオン注入方法および素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-087796   出願人：ソニー株式会社
• レジストの剥離方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-324628   出願人：ソニー株式会社