特許
J-GLOBAL ID:200903078766941600
コランダム単結晶を成長させる方法および装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小川 信一
, 野口 賢照
, 斎下 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-299035
公開番号(公開出願番号):特開2004-083407
出願日: 2003年08月22日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】 高品質、即ち特に欠陥がほとんど無く、c軸(0°)の方向に配向されたサファイア結晶をコスト効率的に製造することができる方法および装置を利用可能にすること。【解決手段】 結晶核をゆっくり引き出す間、溶融結晶材料と溶融体から引き出された単結晶との間に小さな温度勾配を設定する。装置に関しては、溶融結晶材料を受けるためのルツボ、このルツボおよび/または結晶材料を加熱するための加熱装置、および例えば浸漬結晶核を使用する、溶融体から結晶を引き出すための装置を用いる単結晶成長装置であって、引き出し中に結晶を取り囲む保護および/または加熱要素が備えられ、これが溶融体に比べ凝固結晶材料が急激に冷却されること、および/または凝固結晶材料中の大きな温度勾配を防止することを特徴とする構成とする。
請求項(抜粋):
結晶材料をルツボ中に溶融し、この溶融された結晶材料中に結晶核を浸漬し、そしてゆっくりと引き出す単結晶成長方法であって、溶融体から引き出され凝固した結晶材料を、熱放射損失および伝導損失から少なくとも部分的に保護すること、および/または追加の加熱により熱損失を少なくとも部分的に補うことにより、引き出し中に形成される結晶が融点に近い温度に保持されることを特徴とする方法。
IPC (3件):
C30B29/20
, C30B15/00
, C30B15/10
FI (3件):
C30B29/20
, C30B15/00 Z
, C30B15/10
Fターム (15件):
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BB01
, 4G077CF10
, 4G077EA05
, 4G077EA06
, 4G077EG02
, 4G077EG20
, 4G077EG25
, 4G077EH06
, 4G077PA10
, 4G077PA16
, 4G077PD01
, 4G077PD11
, 4G077PF51
引用特許:
審査官引用 (21件)
-
特開昭52-138095
-
特開昭51-087197
-
特開昭64-069589
-
特開昭64-069589
-
タンタル酸リチウム単結晶、単結晶基板および光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-293832
出願人:日立金属株式会社
-
特開昭63-095196
-
特開昭63-095196
-
特開昭51-087197
-
特開平4-154687
-
結晶成長炉
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-238345
出願人:シャープ株式会社
-
特開昭52-138095
-
単結晶育成方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-220427
出願人:三菱重工業株式会社
-
特開昭61-247683
-
特開昭52-138095
-
特開昭64-069589
-
特開昭63-095196
-
特開昭51-087197
-
特開昭61-247683
-
特開平4-154687
-
特開昭61-247683
-
特開昭61-247683
全件表示
前のページに戻る