磁気メモリおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：作田康夫 , 井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-343274
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156608
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 MRAMのTMR素子のTMR比を向上させることにより,高速,高信頼のMRAMを提供する。【解決手段】 MRAMのTMR素子の強磁性層が引張ひずみ状態となり,磁化が増大していることを特徴とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

メモリ層にTMR素子を用いる磁気メモリにおいて,前記メモリ層の素子を構成する強磁性層が引張ひずみ状態となっており,前記強磁性層はFe, Co, Niのいずれかを含み,前記強磁性層に隣接する配線層はRu, W, Ir, Os, Moのいずれかを含むことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (12件)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

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