特許
J-GLOBAL ID：200903043154163197

磁気ランダムアクセスメモリ装置

発明者：
芦田 裕

芦田 裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111058
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319725
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、磁気抵抗記憶素子のプロセスダメージを低減して、磁気抵抗効果特性の劣化を防止する。【解決手段】半導体基板上に、互いに交差する方向に配置された第1のワード線4とビット線3との交差領域にそれぞれ配置され、磁化方向が可変な第1の磁性体層6と磁性体方向が固定された第2の磁性体層8とが非磁性中間層7を介して積層された磁気抵抗記憶素子5と、ビット線3に交差する方向に配置された第2のワード線2をゲートとするアクセストランジスタ1とを備えた磁気ランダムアクセスメモリ装置の磁気抵抗記憶素子5の側部を囲む絶縁体としてSiO2 より水透過防止性能に優れた水透過防止膜10を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、互いに交差する方向に配置された第1のワード線とビット線との交差領域にそれぞれ配置され、磁化方向が可変な第1の磁性体層と磁化方向が固定された第2の磁性体層とが非磁性中間層を介して積層された磁気抵抗記憶素子と、前記ビット線に交差する方向に配置された第2のワード線をゲートとするアクセストランジスタとを備えた磁気ランダムアクセスメモリ装置において、前記磁気抵抗記憶素子の側部を囲む絶縁体としてSiO2 より水透過防止性能に優れた水透過防止膜を用いたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ装置。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
Fターム (20件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (9件)
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