特許
J-GLOBAL ID：200903078791280235

厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法

発明者：
奥井 俊樹

奥井 俊樹 について

, 
三隅 浩一

三隅 浩一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102957
公開番号（公開出願番号）：特開2004-309777
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】現像性、解像性、耐メッキ液性に優れ、レジストパターン及びメッキによる生成物の形状が良好でかつ安定し、接続端子等の製造に好適な厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、これを用いた厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に、膜厚10〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられ、(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有し、前記(B)成分が、特定構造を有する(b1)構成単位を有する樹脂、及び特定構造を有する(b2)構成単位を有する樹脂を含有することを特徴とする厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、膜厚10〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物であって、 (A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有し、 前記(B)成分が、(b1)下記一般式(1)で表される構成単位を含む樹脂、及び(b2)下記一般式(2)で表される構成単位を含む樹脂を含有することを特徴とする厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (2件)：
G03F7/039 ,  H01L21/60
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/92 604S
Fターム (15件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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