特許
J-GLOBAL ID：200903078815781796
シリコン上に集積された高周波オプトエレクトロニク変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 亀松 宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-505588
公開番号（公開出願番号）：特表2007-531031
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
本発明は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)型の基板内にリッジとして形成された導波路と活性領域とを有する光信号を制御するように設計されたオプトエレクトロニクス部品に関し、該活性領域はN+型にドープまたはP+型にドープ(δドープ)された複数の非常に薄いシリコン層から成り、N+ドープ領域とP+ドープ領域との間に配置されており、これらN+ドープ領域とP+ドープ領域はPINダイオードを形成し、該活性領域の両側にある2つの電極に接続され、該部品の分極を可能にしている。本発明はオプトエレクトロニクス部品の作製方法にも関する。本発明は更に、オプトエレクトロニクススイッチの作製のためのオプトエレクトロニクス部品の使用およびオプトエレクトロニクス変調器の作成のためのオプトエレクトロニクス部品の使用にも関する。
請求項（抜粋）：
SOI型基板中にリッジまたはリブ導波路と、活性領域とを含む、光信号を制御するためのオプトエレクトロニクス部品であって、
該活性領域は、N+型にドープまたはP+型にドープ(δドープ)された複数の極薄シリコン層により形成されており、N+ドープ領域およびP+ドープ領域の間に配置されており、これらN+ドープ領域およびP+ドープ領域はPINダイオードを形成し、該活性領域の両側に配置されていて該活性領域をバイアスすることを可能とすることを特徴とし、
更に、該オプトエレクトロニクス部品は、オールシリコンであり、キャリア散逸により動作することを特徴とする、
オプトエレクトロニクス部品。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2H079AA05
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
, 2H079HA12
, 2H079KA19
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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