光変調器およびその製造方法並びに光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337472
公開番号（公開出願番号）：特開2002-139717
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】光変調器の素子容量を少なくし高周波性能を向上させる。【解決手段】光導波路リッジ14の側面に、その頂部から半導体基板12表面まで一様に平坦な平坦部14aを設け、この平坦部14aが半導体基板12の露呈面に接触する様にし、光導波路リッジ14の頂部から側面上に誘電体膜16を介し、この誘電体膜16に密着させてp側電極22を設け、さらに延在させて半導体基板の露呈面上に誘電体膜16を介してp側電極22のボンディングパッド部22aを設けたものである。

請求項（抜粋）：

主面の一部に露呈面を有する半絶縁性の半導体基板と、この半導体基板上に配設され、第1導電型の第1クラッド層、光吸収層、及び第2導電型の第2クラッド層を有するとともに、その側面に頂部から上記半導体基板まで一様に平坦な平坦部を有し、この平坦部が半導体基板の上記露呈面に接触した光導波路リッジと、この光導波路リッジ及び上記半導体基板を覆うとともに上記光導波路リッジの頂部上に第1の開口を、また半導体基板の上記露呈面を除く半導体基板上に第2の開口を有した誘電体膜と、この誘電体膜上に配設されるとともに上記第1の開口を介して上記光導波路リッジの頂部上に配設され、上記誘電体膜表面に密着して光導波路リッジ側面の上記平坦部上に延在し、半導体基板の上記露呈面を経由して半導体基板上に端部が配設された第1の電極と、上記半導体基板上に配設され、上記誘電体膜に配設された第2の開口を介して上記第1クラッド層と接続された第2の電極と、を備えた光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/017 503 , G02F 1/025

FI (2件)：

G02F 1/017 503 , G02F 1/025

Fターム (11件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079EA07 , 2H079EA22 , 2H079EB04 , 2H079HA15 , 2H079JA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-263388
半導体導波路型素子の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-253387 出願人：日本電信電話株式会社
特開平3-198025

全件表示

審査官引用 (7件)

特開平3-263388
特開平3-263388
半導体導波路型素子の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-253387 出願人：日本電信電話株式会社

全件表示

前のページに戻る