特許

J-GLOBAL ID：200903078836847746

スピン注入三端子素子

発明者： 新田 淳作 ,  赤崎 達志 ,  高柳 英明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203787
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026417
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 強磁性体である強磁性金属材料からなる電極を用いた三端子素子を提供する。【解決手段】 チャネル層102上に、アルミニウム(Al)からなる分離層104,105を介して、ニッケル(Ni)と鉄(Fe)の合金からなるソース電極106,ドレイン電極107を形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる基板上に形成されたチャネルが形成される化合物半導体からなるチャネル層と、このチャネル層上に互いに離間して形成されたアルミニウムからなる第1および第2の分離層と、前記第1および第2の分離層上に形成された強磁性金属からなるソース電極およびドレイン電極と、前記チャネル層に形成されるチャネルの状態を制御するゲート電極とを備えたことを特徴とするスピン注入三端子素子。

IPC (11件)：

H01L 43/00 ,  G11C 11/02 ,  G11C 11/14 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (9件)：

H01L 43/00 ,  G11C 11/02 Z ,  G11C 11/14 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/66 ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 29/50 U ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A

Fターム (36件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD29 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104GG12 ,  4M104GG16 ,  4M104GG20 ,  5F083FZ10 ,  5F102FB05 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT02 ,  5F102GV00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 磁気装置および磁性体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058244   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120249   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平1-179457
  
• 特開平3-064963
  
• 特開平1-179457
  
• 特開平3-064963