特許
J-GLOBAL ID：200903080648021398
磁気装置および磁性体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058244
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204854
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】読出し速度の速い磁気メモリを実現すること。【解決手段】メモリセルとして、MOSトランジスタ2と、このMOSトランジスタ2のゲートに接続された磁性体トンネル接合素子1とから構成されたものを用いる。そして、MOSトランジスタ2のゲートを磁性体トンネル接合素子1を介して定電圧源に接続する。また、ゲート抵抗4の一端をゲートに接続し、他端を接地する。また、MOSトランジスタ2のソースをゲート抵抗4よりも低抵抗の比較抵抗3に直列に接続し、MOSトランジスタ2のドレインを接地する。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタと、このMOSトランジスタのゲートに接続され、磁気ヘッド本体としてのGMR素子とを具備してなることを特徴とする磁気装置。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 27/22
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01L 27/22
, G01R 33/06 R
