特許

J-GLOBAL ID：200903078839376892

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251600
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 高速動作の可能なドライバー回路を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素マトリクス回路101を構成するTFTの活性層としては、低オフ電流特性を重視してポリシリコン膜を用いる。他方、ドライバー回路102、103や信号処理回路104を構成するTFTの活性層としては、高速動作特性を重視してポリシリコンゲルマニウム膜を用いる。

請求項（抜粋）：

シリコンゲルマニウム(Si<SB>1-X </SB>Ge<SB>x </SB>:ただし0<X<1)からなる活性層を含むTFTとシリコン(Si)からなる活性層を含むTFTとを同一基板上に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アクティブマトリクス基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230554   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073820   出願人：シャープ株式会社