半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073820
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266313
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板上に複数のTFTを有する高性能な半導体装置、半導体回路を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記複数の薄膜トランジスタの一部は、その他の薄膜トランジスタの活性領域を構成する半導体薄膜と、異なるバンドギャップを有する半導体薄膜によりその活性領域が構成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に複数のトランジスタを有する半導体装置であって、前記複数のトランジスタの一部は、その他のトランジスタの活性領域を構成する半導体膜と、異なるバンドギャップを有する半導体膜によりその活性領域が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-037775
特開昭61-112364
特開平4-337625

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