特許

J-GLOBAL ID：200903078870254428

多結晶半導体素子の製造方法

発明者： 稲垣 浩貴 ,  末永 誠一 ,  鎌田 敦之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216090
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池に好適な多結晶シリコン薄膜を高速で、効率よく、低コストで作製する。【解決手段】 半導体微粒子を原料にしてプラズマ溶射法で耐熱性基板4上に形成した半導体薄膜を、窒素を含む不活性ガス中で溶融再結晶化する。

請求項（抜粋）：

耐熱性基板上に半導体薄膜を形成する工程と、窒素を含む不活性ガス中で前記薄膜を加熱して溶融再結晶化して多結晶半導体膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする多結晶半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA62 ,  5F045EE14 ,  5F045EH10 ,  5F045EH11 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052AA18 ,  5F052AA28 ,  5F052BB06 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB10 ,  5F052EA02 ,  5F052JA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レーザーアニール方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-330731   出願人：ソニー株式会社
• 多結晶シリコンの形成方法及び形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-309497   出願人：日本真空技術株式会社
• 結晶シリコン薄膜とこれを用いた太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-123583   出願人：信越化学工業株式会社