特許
J-GLOBAL ID:200903078926368154

化学機械研磨用水系分散体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-193269
公開番号(公開出願番号):特開2006-019358
出願日: 2004年06月30日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
【課題】 集積回路を有する半導体装置の製造時に金属膜を高速で研磨することができ、しかも、金属膜のエッチング速度を抑制することができる化学機械研磨(CMP)用水系分散体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体100重量部に対し0.2重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体、並びに、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を含む水系分散体から、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物を、膜分離によって除去することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体の製造方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体100重量部に対し0.2重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z
Fターム (5件):
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (2件)

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