特許
J-GLOBAL ID:200903078929711275

回転角検出センサ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-104377
公開番号(公開出願番号):特開2002-303536
出願日: 2001年04月03日
公開日(公表日): 2002年10月18日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 専有するスペースが小さく、センサ出力電圧の出力変化が大きくセンサ感度の良い回転角検出センサを提供する。【解決手段】 対となるGMR素子Ra1,Ra2,Rb1,Rb2を磁石の回転軸の回転軸線を挟んで対向する位置となるように配置すると共にGMR素子Ra1,Ra2,Rb1,Rb2のピン止め磁性層の磁化の向きが互いに逆向きであるようにし、磁石の磁界Hexの向きに従うフリー磁性層の磁化の向きとピン止め磁性層の磁化の向きg1,g2,g3,g4のなす角度により発生するGMR素子Ra1,Ra2,Rb1,Rb2の抵抗値の変化によって回転軸の回転角度を検出するようにした。
請求項(抜粋):
フリー磁性層とピン止め磁性層とを有するGMR素子を基板上に少なくとも2対設け、各対の前記GMR素子同士を直列に接続し、前記GMR素子と対向させて回転可能に磁石を配設し、この磁石によって前記GMR素子に飽和磁界を印加させ、前記GMR素子面と平行な磁力線の向きが回転するように磁界を発生させ、各対となる前記GMR素子を前記磁石の回転軸の回転軸線を挟んで対向する位置となるように配置すると共に前記GMR素子の前記ピン止め磁性層の磁化の向きが互いに逆向きであるようにし、前記磁石の磁力線の向きに従う前記フリー磁性層の磁化の向きと前記ピン止め磁性層の磁化の向きのなす角度により発生する前記GMR素子の抵抗値の変化によって回転軸の回転角度を検出するようにしたことを特徴とする回転角検出センサ。
IPC (2件):
G01D 5/18 ,  G01B 7/30 101
FI (2件):
G01D 5/18 N ,  G01B 7/30 101 B
Fターム (19件):
2F063AA35 ,  2F063AA36 ,  2F063BA08 ,  2F063CA08 ,  2F063CA40 ,  2F063DA01 ,  2F063DA05 ,  2F063DD05 ,  2F063EA03 ,  2F063GA52 ,  2F063GA67 ,  2F063LA11 ,  2F063LA23 ,  2F063LA27 ,  2F077CC02 ,  2F077JJ01 ,  2F077JJ10 ,  2F077JJ23 ,  2F077VV01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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