半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194095
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284377
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート等が支持基板として半導体素子が実装された半導体装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でなく余分な材料である。しかも支持基板の厚みが、半導体装置を大型化にする問題もあった。またダイシングで1パッケージにする際、支持基板を削っていくためブレードの摩耗、破損が激しい問題もあった。【解決手段】第1の導電路51Aは、半導体素子52Aよりも低く形成され、導電路51、半導体素子52が絶縁性樹脂50に支持されて半導体装置が実現されている。従って金属細線55Aの頂部を低くでき、半導体装置53の厚みを薄くすることができる。またダイシングラインに相当する部分には、支持基板や導電路が配置されないため、ダイシングブレードの摩耗、破損を大幅に抑制することが可能となる。

請求項（抜粋）：

分離溝でアイランド状に形成された複数の導電路と、前記導電路と半導体素子の電極とを接続する金属細線と、前記半導体素子を被覆し且つ前記導電路間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面と前記半導体素子の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記複数の導電路の配置領域よりも外側に位置する前記絶縁性樹脂を切断することにより1パッケージとした事を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/56 , H01L 23/12 , H01L 23/50 , H01L 25/00 , H01L 25/16

FI (6件)：

H01L 21/56 R , H01L 21/56 H , H01L 23/50 R , H01L 25/00 B , H01L 25/16 B , H01L 23/12 L

Fターム (15件)：

5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061CB13 , 5F061DD12 , 5F067AA01 , 5F067AB04 , 5F067CC02 , 5F067CC05 , 5F067CC07 , 5F067DA07 , 5F067DA16 , 5F067EA02 , 5F067EA04 , 5F067EA06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法、半導体装置用導電性板および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-262124 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-369866 出願人：松下電子工業株式会社
特開平3-099456

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