特許
J-GLOBAL ID：200903078940790705

バルク超伝導体のパルス着磁方法

発明者：
藤 代 博 之

藤 代 博 之 について

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岡 徹 雄

岡 徹 雄 について

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横 山 和 哉

横 山 和 哉 について


出願人/特許権者：
アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-112117
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319798
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】酸化物超伝導バルクの温度を安定化する時間を短縮し、冷却効率を向上して、着磁工程に必要な時間を短縮できる、超伝導バルクの着磁方法を提供する。【解決手段】扁平な環状または板状の酸化物超伝導バルクを、その超伝導疑似単結晶の一面をコールド・ステージに接して載置すると共に、前記酸化物超伝導バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流し、パルス磁場を発生させ、前記酸化物超伝導バルクを、冷媒中で或いは冷凍機によって得られる低温状態で、前記面に鉛直な方向に着磁するバルク超伝導体のパルス着磁方法において、前記酸化物超伝導バルクの着磁に先立って、酸化物超伝導バルクの表面部分にある含浸用樹脂を取り除き、その周囲にポリエチレン繊維および/あるいはポリ-p-フェニレンベンツビスオキサゾール繊維を含む樹脂からなる繊維に樹脂を含浸させた強化樹脂環を嵌合させることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
扁平な環状または板状の酸化物超伝導バルクを、その超伝導疑似単結晶の一面をコールド・ステージに接して載置すると共に、前記酸化物超伝導バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流し、パルス磁場を発生させ、前記酸化物超伝導バルクを、冷媒中で或いは冷凍機によって得られる低温状態で前記面に鉛直な方向に着磁するバルク超伝導体のパルス着磁方法において、 前記酸化物超伝導バルクの着磁に先立って、酸化物超伝導バルクの表面部分にある含浸用樹脂皮膜を取り除き、その周囲にポリエチレン繊維および/あるいはポリ-p-フェニレンベンツビスオキサゾール繊維を含む樹脂からなる強化樹脂環を嵌合させることを特徴とするバルク超伝導体のパルス着磁方法。
IPC (1件)：
H01F13/00
FI (1件)：
H01F13/00 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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