特許
J-GLOBAL ID：200903078942254797
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168098
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340118
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 レーザビームのオーバーラップ照射により生じる結晶化が不均一な帯状部分を縮小する。【構成】 絶縁基板1の上には非単結晶性の半導体薄膜13が形成される。半導体薄膜13にレーザビーム4を照射してその結晶化を図る。結晶化した半導体薄膜13をチャネル領域として薄膜トランジスタを形成する。照射工程では、X方向(走査方向)に沿ってレーザビーム4を部分的にオーバーラップさせながら間欠的に照射して半導体薄膜13を結晶化する。この際、レーザビーム4はその断面強度がX方向に対して略台形分布を有している。台形分布の勾配部分7の幅寸法Sを100μm以下に制御する。これにより、X方向と直交するY方向に残される結晶化が不均一な帯状部分8の幅寸法wを7μm以下に抑制する事ができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に非単結晶性の半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜にレーザビームを照射してその結晶化を図る照射工程と、結晶化した半導体薄膜をチャネル領域として薄膜トランジスタを形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、走査方向に沿って該レーザビームを部分的に重複させながら間欠的に照射して該半導体薄膜を結晶化する際、該レーザビームはその断面強度が走査方向に対して略台形分布を有しており、該台形分布の勾配部分の幅寸法を100μm以下に制御する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/268 B
