特許
J-GLOBAL ID：200903059112662863
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172049
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光による各種アニールを用いて作製される半導体デバイスの特性を均一なものとする。【構成】 線状に成形されたレーザー光を線に直角な方向にスキャンしながら半導体材料に対してアニールを行った場合、線方向であるビーム横方向に対するアニール効果とスキャン方向に対するアニール効果とでは、その均一性において2倍以上の違いがある。そこで、線状のレーザーが照射される線方向に合わせて複数の半導体素子を作製することで、特性のそろったものを得ることができる。また、薄膜トランジスタのソース/ドレインを結ぶ線方向を線状のレーザー光の線方向と合わせることによって、キャリアの移動がアニール効果の均一な領域で行われることになるので、特性の高いものとすることができる。
請求項（抜粋）：
薄膜半導体に対して線状のレーザー光を照射してアニールを行う工程と、前記線状のレーザー光が照射された領域の長手方向に合わせて複数の半導体装置を作製する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
