特許
J-GLOBAL ID：200903078946536452

半導体メモリ装置の電流感知増幅回路

発明者：
沈 載勳

沈 載勳 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279294
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【課題】 微細電流の入力信号を安定して感知増幅する電流感知増幅回路を提供する。【解決手段】 第1及び第2入力ノードN1,N2に入力される信号電流を感知してその信号差を増幅し第1及び第2出力ノードN3,N4に出力する差動増幅手段Q13,Q14をもつ電流感知増幅回路について、第2入力ノードN2と電流制御ノードN5との間に設けられ、第1出力ノードN3により導通制御されるフィードバック素子Q18と、第1入力ノードN1と電流制御ノードN5との間に設けられ、第2出力ノードN4により導通制御されるフィードバック素子Q19と、を備える。各フィードバック素子が電流バイパスとなって入力信号差を広げるように働くので、低電圧、小電流信号、大入力負荷容量であっても感知動作を安定して遂行できる。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置の電流感知増幅回路において、第1及び第2入力ノードに入力される信号電流を感知して該2つの信号差を増幅し第1及び第2出力ノードから出力する差動増幅手段と、前記第2入力ノードと電流制御ノードとの間に設けられ、制御端子が前記第1出力ノードに接続される第1フィードバック素子と、前記第1入力ノードと電流制御ノードとの間に設けられ、制御端子が前記第2出力ノードに接続される第2フィードバック素子と、を備えることを特徴とする電流感知増幅回路。
引用特許：
審査官引用 (2件)

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