プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357542
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186238
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウェハのエッチング処理を行う平行平板型プラズマ処理装置におけるプラズマの生成領域をウェハ表面より拡大し、かつプラズマの生成を安定にする。【解決手段】ウェハ8の直外周部に配置する半導体材料からなるプラズマ補正部材4-1の比抵抗を一定の範囲に規定し、かつプラズマ補正部材4-1の構造を規定する。半導体であるプラズマ補正部材4-1は、プラズマから与えられる熱により比抵抗がプラズマ処理時間と共に低下するが、常温で一定以上の比抵抗を持っていればプラズマ処理終了時まで一定以上の比抵抗を保つことができ、また、プラズマ補正部材4-1が一定以下の比抵抗を持っていれば下部電極6からの電界が透過するためウェハ8よりも広い面積にプラズマが生成する。

請求項（抜粋）：

ウェハステージとなる下部電極のウェハ周縁を囲むウェハ直外周部に半導体材料からなるプラズマ補正部材を有する平行平板型プラズマ処理装置において、前記半導体材料は一定の比抵抗を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46 , C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 C , H05H 1/46 M , C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-218346 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120869 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
特開平4-196319

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