特許

J-GLOBAL ID：200903078981010617

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 秋山 肇 ,  渡部 毅代登 ,  山脇 正雄 ,  保田 直紀 ,  山本 茂之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097460
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297815
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 トレンチの形成に関し、ストレスの低減と平坦化と製造工程の簡略化を同時に達成する。【解決手段】 拡散層23〜26やフィールド酸化膜2を形成した後に、トレンチ6を形成する。トレンチ6はフィールド酸化膜2を避けるように形成する。トレンチ6は絶縁物である酸化膜7とBPSG層8で充填する。充填の際には酸化膜7とBPSG層8のエッチングバックは行わない。

請求項（抜粋）：

拡散層およびフィールド酸化膜を主面に形成するための熱処理が終了しているSOI基板を準備する工程と、前記SOI基板の前記主面における前記フィールド酸化膜が形成されていない領域にトレンチを形成する工程と、前記SOI基板の全面に絶縁物を堆積することによって層間膜の形成と同時に前記トレンチに絶縁物を充填する工程とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-008959   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059356   出願人：三菱電機株式会社