特許

J-GLOBAL ID：200903078985174797

半導体装置

発明者： 廣井 政幸
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220073
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041244
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 多層配線構造において、層間の密着性を良好にする。【解決手段】 半導体装置100には、半導体基板(不図示)上に、配線124が形成された第一の層間絶縁膜120と、ビア126が形成された第二の層間絶縁膜122とを含む多層配線構造が形成されている。半導体装置100は、配線124およびビア126が形成された回路領域110と、回路領域110を隔離するシールリングが形成されたシールリング領域112と、シールリング領域112の外周に形成された外周領域114とを含む。外周領域114において、第二の層間絶縁膜122中に、金属材料により構成されたダミービア136が形成される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、配線が形成された第一の層間絶縁膜と、ビアが形成された第二の層間絶縁膜とを含む多層配線構造が形成された半導体装置であって、 前記配線および前記ビアが形成された回路領域と、前記回路領域を隔離するために前記回路領域を囲うように設けられるシールリングが形成されたシールリング領域と、前記シールリング領域の外周に形成された外周領域とを含み、 前記外周領域において、前記第二の層間絶縁膜中に、金属材料により構成されたダミービアが形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L21/88 S ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 D

Fターム (35件)：

5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033TT01 ,  5F033UU03 ,  5F033VV01 ,  5F033WW00 ,  5F033WW09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA08 ,  5F038CA13 ,  5F038CA18 ,  5F038CD10 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-152849   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316605   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316605   出願人：富士通株式会社