特許
J-GLOBAL ID：200903053355016970
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152849
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340529
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のCPM工程が、パターンの密度や大きさに影響されない半導体装置の構造を得る。【解決手段】 半導体基板のダイシングライン上または実チップ上において、マーク部の周囲に連続して一体に敷き詰められたダミー配線パターンを備える。特に、ダミー配線パターンは、ダイシングライン上でガードリング部を除く部分にマーク部の禁止領域を除いて配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板のダイシングライン上または実チップ上において、マーク部の周囲に連続して一体に敷き詰められたダミー配線パターンを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/3205
H01L 21/78 L
, H01L 21/88 S
5F033QQ48
, 5F033VV01
, 5F033XX01
