微細パターニング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-251338
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064080
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】半導体製造等の技術分野において、単結晶シリコンを所定形状にエッチングを行うとき、複雑なマスク処理を行う必要があり、多くの時間と手数を要するほか、パターンを変更することが困難であった。【解決手段】図1に示すような摩擦力顕微鏡の機構を用い、単結晶シリコン材料3に対して端部にダイヤモンド砥粒5を備えたレバー10を有するカンチレバー4を強く当接させる。レバー先端で反射されたレーザーを4分割フォトディテクタ6で検出することによりレバーの動きを検出する。この信号によりフィードバック制御装置8はチューブPZTスキャナをX-Y-Z方向に移動することにより所定形状の微細機械加工を施す。このようにして形成された材料に対してKOH水溶液でエッチングを行うと、このエッチング溶液の濃度が薄いときには微細機械加工を行った部分が凸部となり、濃いときは凹部となる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細パターニング方法において、エッチング溶液の濃度を任意に選択することにより、前記微細機械加工部分をマスキング効果とエッチング促進効果のいずれかを任意に選択して微細パターンニングを行うことを特徴とする微細パターンニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , B82B 3/00 , C23F 1/40 , C30B 29/06 , C30B 33/08

FI (5件)：

B82B 3/00 , C23F 1/40 , C30B 29/06 C , C30B 33/08 , H01L 21/306 B

Fターム (19件)：

4G077AA02 , 4G077BB03 , 4G077FG06 , 4G077FG11 , 4K057WA10 , 4K057WA13 , 4K057WB06 , 4K057WB12 , 4K057WB17 , 4K057WC03 , 4K057WE21 , 4K057WG03 , 4K057WN01 , 4K057WN06 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD02 , 5F043DD10 , 5F043EE23

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-137519 出願人：信越半導体株式会社

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