特許
J-GLOBAL ID：200903079000839079
スパッタ装置及びスパッタ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206112
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061402
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 大型化されたターゲットに対しても所望のスパッタをすること。【解決手段】 本発明のRFマグネトロンスパッタ装置10は、真空チャンバ12、真空チャンバ12内で基板Sを支持するためのサセプタ20、サセプタ20で支持される基板Sの表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出できる絶縁性のターゲット52、ターゲット52とサセプタ20との間の空間にプロセスガスを供給するArガス供給源35、空間に高周波電力を印加するRF電源62、及び、ターゲット52の周囲に対してターゲット52を負電位にできるDC電源64を備えている。この構成では、大型化により低下したターゲット52の自己バイアスをDC電源64が補償している。この結果、プラズマ化されたプロセスガスのうち正イオンとなったものをターゲット52に向かわせる傾向を高め、ターゲット52のスパッタを促進する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段とを有し、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマ化するスパッタ装置であって、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電力印加手段と、前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にすることができる負電位手段と、を備えることを特徴とするスパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
C23C 14/34 T
, C23C 14/34 S
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
