特許
J-GLOBAL ID:200903079022857500

膜型センサの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-575768
公開番号(公開出願番号):特表2003-530717
出願日: 2001年03月20日
公開日(公表日): 2003年10月14日
要約:
【要約】本発明は、マイクロホンが一例である差圧力センサに係る。この差圧力センサは、導電性材料で作られた柔軟な膜(7)であって、差圧力センサの第1電極を形成する膜(7)と、導電性材料で作られた孔付きプレート(6)であって、上記膜(7)より本質的に堅牢であり、上記膜からある距離に配置されそして差圧力センサの第2電極を形成する孔付きプレートとを備えている。差圧力センサにできるだけ良好な特性を与えるために、差圧力センサは、基体(4)も備え、この基体を貫通して空洞(10)が延び、この空洞の壁は、上記基体(4)で形成される。上記膜(7)は、空洞(10)の壁にぴったり接合され、これにより、膜は、空洞における高密度の壁を形成し、そして上記孔付きプレート(6,6')は、絶縁層(5)と共に基体に取り付けられる。
請求項(抜粋):
差圧力センサ又はマイクロホンのような膜型センサを製造する方法において、 第1層と、導電性材料で作られた第2層と、それら第1層及び第2層間の絶縁層とを含む層構造のプレフォームを使用に対して選択し、 第1層に空洞をエッチングすることにより第1層から材料を除去し、その空洞は、第1層を貫通して絶縁層まで延び、 第1層に形成された空洞を通して絶縁層上に導電性材料の膜を成長し、この膜は、空洞の壁に接合して、空洞に高密度の壁を形成し、 第2の導電層に孔をエッチングすることにより第2の導電層から材料を除去し、それらの孔は、第2の導電層を貫通して絶縁層まで延び、そして出来上がった膜型センサにおいて絶縁層とは反対側の空洞のポイントに配置され、そして 孔と空洞との間の領域から絶縁層を除去する、という段階を備えたことを特徴とする方法。
IPC (3件):
H01L 29/84 ,  G01L 9/00 305 ,  H04R 19/04
FI (3件):
H01L 29/84 Z ,  G01L 9/00 305 B ,  H04R 19/04
Fターム (27件):
2F055AA40 ,  2F055BB05 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA41 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA13 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20 ,  5D021CC20
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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